Elektronenstrahllithographie

 

Klicken zum Vergrößern Die nebenstehende Abbildung zeigt schematisch den Aufbau der verwendeten Elektronenstrahllithographieanlage (EBL). Diese besteht aus einem Rasterelektronenmikroskop (REM, Firma Jeol, Modell JSM--IC 845) und dem Lithographiesystem 'Elphy Plus' (Firma Raith).
Eine geheizte LaB6 -Kathode dient als Elektronenquelle, aus welcher der Elektronenstrahl mittels einem Triodensystem, bestehend aus Kathode, Wehnelt-Zylinder und blendenförmiger Anode, erzeugt wird. Der Strahl wird anschließend mit zwei Magnetlinsen geformt. Durch einen Beamblanker kann der Strahl ausgetastet werden. Die Strahlablenkung erfolgt durch je zwei Paar Ablenkspulen für die x- und y-Richtung, die in die untere elektronen-optische Linse integriert sind.
Um eine Maske oder einen Wafer belichten zu können, unterscheidet man zwei Belichtungsverfahren. Bei Rasterscan-Verfahren wird der Elektronen-strahl gleichmäßig über die gesamte Fläche geführt und nur an den zu belichtenden Stellen eingeschaltet, während er an den nicht zu belich-tenden Stellen ausgetastet wird. Bei dem Vektorscan-Verfahren, welches das Elphy Plus System verwendet, werden nur die zu belichtenden Bereiche adressiert.
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