Gaede-Preis

Der Gaede-Preis ist für die Würdigung hervorragender Leistungen auf dem Tätigkeitsgebiet der DVG bestimmt, das in der Satzung der Gesellschaft mit dem Begriff "vakuumgestützte Wissenschaft und Technologie" beschrieben wird. Prinzipiell gehören dazu große Bereiche der Physik der kondensierten Materie, die Physik der Niederdruckplasmen sowie die Vakuumphysik- und -technik. Die Praxis zeigt, dass die Preisträger in den allermeisten Fällen aus der Physik der kondensierten Materie kamen. Der Preis wird aus den Zinserträgen des Vermögens der Gaedestiftung finanziert und seit 1986 jährlich verliehen. Fast alle Preisträger wurden später zu Universitätsprofessoren berufen, einige wurden DPG-Präsidenten, Leiter von Helmholtzzentren oder Max-Planck-Direktoren. Der Gaede-Preis ist deshalb in dieser Community sehr hoch anerkannt und wird seit der ersten Vergabe 1986 auf der DPG-Frühjahrstagung der SkM (früher AKF) in der Festsitzung verliehen. Seit 2017 ist der Gaede-Preis ein Preis der DPG.

 

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Auschreibung

Der Gaede-Preis wird seit 1986 einmal im Jahr an einen jüngeren Wissenschaftler verliehen, der hervorragende Leistungen in den Themengebieten der Deutschen Vakuumgesellschaft (DVG) erbracht hat. Er ist benannt nach Prof. Dr. Wolfgang Gaede, der in der ersten Hälfte des 20. Jahrhunderts mit seinen bahnbrechenden Erfindungen auf dem Gebiet der Vakuumerzeugung wichtige Grundlagen für die moderne Vakuumtechnik gelegt hat. Dazu gehören z.B. die Erfindung der Diffusionspumpe, das Prinzip der Molekularluftpumpe oder des Gasballasts zum Abpumpen kondensierbarer Gase.

Der Preis ist mit einem Preisgeld von 10.000,- € dotiert. Darüber hinaus erhält der Preisträger ein Modell der historischen Molekularluftpumpe in Originalgröße.

Der Gaede-Preis wird durch die Deutsche Physikalische Gesellschaft im Rahmen der Frühjahrstagung vergeben und finanziert durch die 1985 gegründete Gaede-Stiftung der Deutschen Vakuumgesellschaft (DVG) e.V.. Stifter der gemeinnützigen und unabhängigen Gaede-Stiftung ist der langjährige Geschäftsführer und ehemalige Inhaber der Firma E. Leybold‘s Nachfolger (heute: Leybold GmbH) Dr. Manfred Dunkel.

Für den Gaede-Preis sind bis zu fünf Veröffentlichungen, die die auszuzeichnenden Leistungen widerspiegeln, eine Veröffentlichungsliste, ein kurzer Lebenslauf, eine Begründung des Vorschlags bzw. der Eigenbewerbung sowie ggf. andere Belege in digitaler Form auf Datenträger oder per E-Mail bis zum 30. Juni des Jahres einzureichen an die

Geschäftsstelle der DPG Deutsche Physikalische Gesellschaft e. V.
Hauptstraße 5
53604 Bad Honnef
Tel.: 02224 9232-0  
Fax: 02224 9232-50
Email: dpg@dpg-physik.de

Preiskomitee

Für die Auswahl der Preisträger wird ein Preiskomitee gebildet, das aus fünf Personen besteht. Ein Mitglied des Preiskomitees ist der oder die Vorsitzende der Gaedestiftung. Ein Mitglied des Preiskomitees ist ein Vertreter oder eine Vertreterin der Nachfolgefirma der Leybold-Heraeus GmbH und wird von der Nachfolgefirma der Leybold- Heraeus GmbH bestimmt. Drei Mitglieder des Preiskomitees werden vom DPG-Vorstandsrat für eine Amtszeit von drei Jahren gewählt. Bei der bei der Auswahl der Mitglieder soll der DPG-Vorstandsrat die Zugehörigkeit dieser Mitglieder zu den Sachgebieten der gemeinsamen Fachverbände der DPG und der Deutschen Vakuumgesellschaft berücksichtigen. Eine Wiederbestellung der Mitglieder ist nicht vorgesehen. Außerdem gehören dem Preiskomitee ex officio und ohne Stimmrecht das zuständige DPG-Vorstandsmitglied für Wissenschaftliche Programme, Preise an. Das Preiskomitee wählt aus dem Kreis der Mitglieder mit Stimmrecht einen Vorsitzenden oder eine Vorsitzende und einen stellvertretenden Vorsitzenden oder eine stellvertretende Vorsitzende.

Das Preiskomitees ist derzeit wie folg besetzt:

Vorsitzende/r des Preiskomitees

Prof. Dr. Dietrich Zahn

Weitere Mitglieder des Preiskomitees

Prof. Dr. Willi Auwärter

Dr. Monika Mattern-Klosson

Prof. Dr. Jascha Repp

Prof. Dr. Klaus Richter

Dr. Julia Stähler

Preisträger

2018

Assoc. Prof. Gareth S. Parkinson

Institut für Angewandte Physik, Technische Universität Wien

Exzellente experimentellen Arbeiten zu Eisenoxidoberflächen als Modellsysteme für Einzelatomkatalyse

2017

Dr. Guillaume Schull

Institut de Physique et Chimie des Matériaux de Strasbourg

Controlled single-molecule contacts
Light emission from atomic contacts
Light emission from molecular junction

2016

Dr. Julia Stähler

Fritz-Haber-Institut, Berlin

Arbeiten zur Ultrakurzzeitdynamik an Oberflächen und in Festkörpern

2015

Dr. Wilhelm Auwärter

TU München, Physik-Department Garching

Arbeiten mit funktionellen Schichten und molekularen Nanosystemen an Oberflächen

2014

Dr. Yuri S. Dedkov

SPECS Surface Nano Analysis GmbG

Arbeiten über Struktur und Eigenschaften von Graphen auf Metalloberflächen und der magnetischen Kopplung in diesen Schichtsystemen

2013

Dr. Kirsten von Bergmann

Universität HAmburg

Beiträge zur direkten Beobachtung komplexer Spinstrukturen an Oberflächen mittels spinaufgelöster Rastertunnelmikroskopie

2012

Dr. Mato Knez

MPI für Mikrostrukturphysik Halle

Entwicklung von neuartigen Konzepten für die Herstellung von Nano- und Hybridmaterialien mittels Atomlagenabscheidung (ALD)

2011

Prof. Dr. Philip Hofmann

Universität Aarhus, Dänemark

Pionierarbeiten zur Physik von zweidimensionale Elektronengase mit starker Spin-Bahn-Aufspaltung

 

2010

Dr. Stefan Linden

Forschungszentrum und Universität Karlsruhe

Bahnbrechende Arbeiten auf dem Gebiet der photonischen Metamaterialien

2009

Priv. Doz. Dr. Jürgen Faßbender

Forschungszentrum Dresden-Rossendorf

Untersuchungen Ioneninduzierte Modifizierung magnetischer Schichten

2008

Dr. Stefan Mayr

Universität Göttingen

Untersuchungen zur Entstehung selbstorganisierter Nanostrukturen an Oberflächen und beim Wachstum dünner Schichten mittels Experiment und Computersimulation

2007

Priv. Doz. Dr. Armin Dadgar

Universität Magdeburg

In Würdigung Seiner zur Entwicklung und Erforschung von Hetero-Schichtstrukturen aus Verbindungshalbleitern

2006

Jun. Prof. Dr. Stefan Heinze

Universität Hamburg

In Würdigung Seiner herausragenden Arbeiten zur spin-polarisierten Rastertunnelmikroskopie

2005

Jun. Prof. Dr. Michael Bauer

TU Kaiserslautern

In Würdigung Seiner zukunftsweisenden Pionierarbeiten auf dem Gebiet der zeitaufgelösten Photoelektronenspektroskopie unter Verwendung von ultrakurzen Laserpulsen

2004

Priv.-Doz. Dr. Dirk Sander

Max-Planck-Institut für Mikrostrukturtechnik, Halle

In Würdigung Seiner bedeutenden Beiträge zum Einfluss elastischer und magneto-elastischer Spannungen auf Oberflächenrekonstruktion und magnetische Anisotropie in atomaren Schichten

2003

nicht vergeben

2002

Priv.-Doz. Dr. Christian Teichert

Trofaiach

In Würdigung Seiner wegweisenden Arbeiten zum Verständnis von Selbstorganisations-Phänomenen auf der Nanometerskala in der Halbleiter-Heteroepitaxie und des Einsatzes von selbstorganisierten Halbleiteroberflächen als Substrate für magnetische Nanostrukturen

2001

Priv.-Doz. Dr. Thomas Zettler

Technische Universität Berlin

In Würdigung Seiner bahnbrechenden und praxisbezogenen Arbeiten zu den Wachstumsprozessen und zur in situ-Spektroskopie bei der Metallorganischen Gasphasenepitaxie

2000

Priv.-Doz. Dr. Thomas Michely

RWTH Aachen

In Würdigung Seiner wegweisenden Untersuchungen zu den Einzelereignissen bei der Teilchen-Oberflächenwechsel-wirkung und den Nukleationsprozessen beim Wachstum dünner Schichten auf atomarer Skala

1999

Dr. Udo D. Schwarz

Universität Hamburg

In Würdigung Seiner hervorragenden Beiträge auf dem Gebiet der quantitativen Rasterkraftmikroskopie, insbesondere der Reibungs- und der dynamischen Kraftmikroskopie

1998

Prof. Dr. Andreas Waag

Universität Ulm

In Würdigung Seiner herausragenden Arbeiten zur erstmaligen Realisierung von Beryllium-Chalkogenid-Schichtstrukturen mittels der Molekularstrahlepitaxie und der Anwendung solcher Schichten in der Photonik

1997

Dr. Hilde Hardtdegen

Forschungszentrum Jülich

In Würdigung Ihrer herausragenden Arbeiten zur Weiterentwicklung und Vervollkommnung des Verfahrens der metallorganischen Gasphasenepitaxie (Metalorganic Vapor Phase Epitaxy MOVPE) und dessen Anwendungen insbesondere für die Präparation von III-V-Halbleiterschichten

1996

Dr. Markus Biebl

Augsburg

In Würdigung Seiner herausragenden Dissertation zum Thema „Physikalische Grundlagen zur Integration von Mikromechanik, Sensorik und Elektronik“

1995

Prof. Dr. Matthias Wuttig

RWTH Aachen

In Würdigung Seiner herausragenden Arbeiten zur Herstellung und Charakterisierung von ultradünnen Schichten und Oberflächenlegierungen

1994

Prof. Dr. Günter Reiss

Universität Bielefeld

In Würdigung Seiner herausragenden Arbeiten über den Ladungstransport in dünnen polykristallinen Metallschichten

1993

Prof. Dr. Harald Heinecke

BMW Group, München

In Würdigung Seiner Arbeiten zur Herstellung epitaktischer III-V Halbleiterschichten mittels des MOMBE-Verfahrens

1992

Prof. Dr. Roland Wiesendanger

Universität Hamburg

In Würdigung Seiner Arbeiten auf dem Gebiet der Rastertunnelmikroskopie und der Rasterkraftmikroskopie zur Aufklärung von atomaren Strukturen und Defekten auf Festkörperoberflächen

1991

Prof. Dr. Gerd Schönhense

Johannes Gutenberg Universität Mainz

Zirkulardichroismus bei der Emission von Photoelektronen aus Oberflächen

1990

Prof. Dr. Herbert M. Urbassek

Universität Kaiserslautern

Theorie der Zerstäubung von Festkörperoberflächen und der Molekülzerstäubung unter Ionenbeschuss

1989

Prof. Dr. Eberhard Umbach

Universität Würzburg

In Würdigung Seiner fundamentalen Arbeiten zur Entwicklung des Verständnisses und der praktischen Anwendung von photoindizierten Elektronenspektroskopien von Oberflächen und Adsorptionsschichten

1988

Prof. Dr. Ernst Bauer

Department of Physics and Astronomy, Tempe, Arizona und

Dr. Wolfgang Telieps

TU Clausthal (post mortem)

In Würdigung Ihrer grundlegenden und bahnbrechenden Arbeiten auf dem Gebiet des LEED-Mikroskops

1986

Prof. Dr. Jürgen Kirschner

MPI für Mikrostrukturphysik, Halle

In Anerkennung Seiner grundlegenden und bahnbrechenden Arbeiten zur Wechselwirkung von spinpolarisierten Elektronen mit Festkörperoberflächen und dünnen Schichten