Rudolf-Jaeckel-Preis

In Anerkennung der großen Verdienste von Professor Dr. Rudolf Jaeckel um die Vakuumphysik und andere von der DVG betreuten Gebiete, verleiht die DVG seit 2006 jährlich den „Rudolf-Jaeckel–Preis der Deutschen Vakuumgesellschaft“. Die DVG möchte damit das Lebenswerk von Professor Rudolf Jaeckel würdigen und das Andenken an ihn bewahren. Ein Grund für die Namensgebung des Preises ist nicht zuletzt auch, dass Professor Jaeckel aktiv an der Gründung der Vorgängergesellschaft der DVG mitgewirkt hat.

Auschreibung

Die DVG verleiht jährlich den Rudolf-Jaeckel Preis für hervorragende Leistungen auf dem Gebiet der vakuumgestützten Wissenschaften. Es sollen vor allem langjährige und bahnbrechende Arbeiten zu den Grundlagen der von der DVG betreuten Gebiete und zu deren Anwendungen und Umsetzungen in der wissenschaftlichen und industriellen Praxis gewürdigt werden. Auch herausragende Leistungen zu einem aktuellen Thema können gewürdigt werden. Der Preis kann sowohl an eine Einzelperson (keine Altersbeschränkung) als auch an ein Team verliehen werden. Die Preisträger(innen) sollen vorwiegend aus dem deutschsprachigen Raum kommen.

Der Preis besteht aus einem Preisgeld von 1000,- Euro sowie einer Medaille nebst Urkunde.

Die Auswahl des Preisträgers oder der Preisträgerin obliegt einem Preiskomitee von 5 Personen, welche durch den Vorstandsrat der DVG berufen werden. Preisträgervorschläge sind an den Präsidenten der DVG zu richten. Eigenbewerbungen sind nicht möglich.

zur Person Rudolf-Jaeckel

In der Ausgabe der Vakuum in Forschung und Praxis erschien in der Ausgabe 2018-06 unter dem Serie "Pioniere der Vakuumtechnik" der nachfolgende Artikel. Er wurde verfasst von Dr. Wilfriede Fiedler (Vacom Vakuum Komponenten & Messtechnik GmbH, Großlöbichau)

Preiskomitee

Mitglieder des Preiskomitees

Prof. Schultz Ludwig (IFW Dresden) Vorsitzender

Prof. Dr. Martin Aeschliman (TU Kaiserslautern)
Prof. Dr. Dieter Bimberg (TU Berlin)
Dr. Bernd Schulte (AIXTRON SE)
Dr. Gerhard Voss (ehem. Leybold Vacuum GmbH)

Preisträger

2020

Photo: Universität Leipzig/Swen Reichhold

Prof. Dr. Marius Grundmann

Leiter des Felix-Bloch-Institut für Festkörperphysik –Halbleiterphysik an der Universität Leipzig

In Würdigung seiner herausragenden Leistungen auf den von der DVG betreuten Wissenschafts- und Technologiebereichen insbesondere für seine bahnbrechenden Beiträge zur Entwicklung von neuartigen breitbandigen Halbleiterstrukturen und Demonstration von darauf basierenden Bauelementen 

Die Preisverleihung findet am Montag 7. September um 17:20 Uhr auf der Special PSE 2020 im Kongress-Zentrum der Messe Erfurt (07.-10.09.2020, https://www.pse-conferences.net/pse2020.html) statt. Nach der Preisverleihung stellt der neue Preisträger in seinem Preisträgervortrag unter anderem auch die Bedeutung der Vakuumtechnik für seinen wissenschaftlichen Erfolg dar.

Marius Grundmann hat in den letzten 20 Jahren neuartige Halbleiter-Verbindungen mit Vakuum-basierten Methoden als funktionale Dünnfilme und Nanostrukturen und darauf basierende Bauelemente hergestellt und charakterisiert. In den letzten Jahren hat er mittels gepulster Laserdeposition (PLD) das "ultra-widegap" (Al,Ga,In)2O3-Sesquioxid Halbleiter-System erforscht und seine verschiedenen Phasen, insbesondere die monokline beta-Phase [1], die trigonale alpha-Phase (wie Saphir) [2] und die orthorhombische kappa-Phase [3] kontrolliert und selektiv abgeschieden und untersucht. Diese Materialien versprechen Anwendungen in der "high-power" Elektronik und "deep-UV" Photonik. Von großer Hilfe dabei erwies sich die mittels radial segmentierter Targets entwickelte PLD-Methode, um auf einem einzigen Substrat eine ganze Legierungsreihe mittels eines lateralen chemischen Gradienten abzuscheiden [4] und so die Entwicklungszeit für ein Alloy-System um Größenordnungen zu reduzieren.

Mittels Sputter-Deposition bei Raumtemperatur hat Marius Grundmann amorphe Halbleiter-Dünnschichten aus ZnSnO und ZnON hergestellt, die 10 bis 100 mal höhere Elektronen-Beweglichkeiten aufweisen als amorphes Silizium. Er hat auf dieser Materialbasis neben grundlegenden physikalischen Untersuchungen zum Leitungsmechanismus neuartige Dünnfilm-Transistoren, Inverter und integrierte Schaltkreise hergestellt, die auf der Basis von MESFETs mit den geringsten Operationsspannungen funktionieren [5,6,7]. Von besonderer Bedeutung sind seine wegweisenden Arbeiten zur Sputter-Abscheidung von Kupferiodid-Dünnschichten, die eine einmalige Kombination aus hoher p-Leitfähigkeit und Transparenz im sichtbaren Spektralbereich aufweisen [8,9,10] und damit eine Dünnfilm-Elektronik mit komplementären Invertern eröffnen. Zu diesem Thema leitet Prof. Grundmann zurzeit eine DFG-geförderte Forschungsgruppe.

Marius Grundmann hat über 600 "international peer-review journal publications", >22000 Zitate und h=67 (https://publons.com/researcher/2738549/marius-grundmann/), google scholar: h=79

[1] Christian Kranert, Chris Sturm, Rüdiger Schmidt-Grund, Marius Grundmann
Raman Tensor Formalism for Optically Anisotropic Crystals
Phys. Rev. Lett. 116(12), 127401:1-5 (2016)

[2] M. Grundmann, M. Lorenz
Anisotropic Strain Relaxation Through Prismatic and Basal Slip in α-(Al,Ga)2O3 on R-Plane Al2O3
APL Mater. 8(2), 021108:1-14 (2020)

[3] A. Hassa, C. Sturm, M. Kneiß, D. Splith, H. von Wenckstern, T. Schultz, N. Koch, M. Lorenz, M. Grundman 
Solubility Limit and Material Properties of a κ-(AlxGa1−x)2O3 thin film with a lateral cation gradient on (00.1)Al2O3 by tin-assisted PLD,
APL Mater. 8(2), 021103:1-7 (2020)

[4] Holger von Wenckstern, Zhipeng Zhang, Florian Schmidt, Jörg Lenzner, Holger Hochmuth, Marius Grundmann
Continuous composition spread using pulsed-laser deposition with a single, segmented target
CrystEngComm 15, 10020-10027 (2013)

[5] Oliver Lahr, Zhipeng Zhang, Frank Grotjahn, Peter Schlupp, Sofie Vogt, Holger von Wenckstern, Andreas Thiede, Marius Grundmann
Full-swing, High-gain Inverters Based on ZnSnO JFETs and MESFETs
IEEE Transact. Electr. Dev. 66(8), 3376-3381 (2019)

[6] Anna Reinhardt, Holger von Wenckstern, M. Grundmann
Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors Based on the Amorphous Multi-Anion Compound ZnON
Adv. Electron. Mater. XXX, 1901066:1-5 (2020), doi:10.1002/aelm.201901066

[7] O. Lahr, S. Vogt, H. von Wenckstern, M. Grundmann
Low-voltage operation of ring oscillators based on room-temperature-deposited amorphous zinc-tin-oxide channel MESFETs
Adv. Electron. Mater. 2019, 1900548:1-5 (2019)

[8] Marius Grundmann, Friedrich-Leonhard Schein, Michael Lorenz, Tammo Böntgen, Jörg Lenzner, Holger von Wenckstern
Cuprous Iodide - a p-type transparent semiconductor: history and novel applications
Phys. Status Solidi A 210(9), 1671-1703 (2013)

[9] Chang Yang, Max Kneiß, Michael Lorenz, Marius Grundmann
Room-temperature Synthesized Copper Iodide Thin Film as Degenerate p-Type Transparent Conducting Material with a Boosted Figure of Merit
PNAS 113(46), 12929-12933 (2016)

[10] C. Yang, D. Souchay, M. Kneiß, M. Bogner, H. M. Wei, M. Lorenz, O. Oeckler, G. Benstetter, Y.Q. Fu, M. Grundmann
Transparent Flexible Thermoelectric Material Based on Non-toxic Earth-Abundant p-Type Copper Iodide Thin Film
Nature Commun. 8, 16076:1-7 (2017)

2019

Prof. Dr. Bernhard Holzapfel

Direktor am Institut für Technische Physik des KIT Karlsruhe

In Würdigung seiner herausragenden Leistungen auf den von der DVG betreuten Wissenschafts- und Technologiebereichen insbesondere für seine bahnbrechenden Beiträge zur Etablierung der Laserdeposition in der Dünnschichttechnik, speziell zur Präparation oxidischer dünner Schichten, insbesondere supraleitender, magnetischer und ferroelektrischer Schichten. 

Die Preisverleihung findet am 09.10.2019, 9.00-10:30 Uhr im Internationalen Congress Centrum (ICD) Dresden während der V2019 statt. Nach der Preisverleihung stellt der neue Preisträger in seinem Preisträgervortrag unter anderem auch die Bedeutung der Vakuumtechnik für seinen wissenschaftlichen Erfolg dar.

Preisträgervortrag:

„Gepulste Laserdeposition von Funktionalschichten: Vom Nanometer zum Kilometer“

2018

Prof. Dr. Günther Tränkle

Ferdinand-Braun-Institut Berlin

In Würdigung seiner herausragenden Leistungen auf den von der DVG betreuten Wissenschafts- und Technologiebereichen insbesondere für seine bahnbrechenden Arbeiten für die III/V Halbleitertechnologie, in der Mikro- und Millimeterwellenelektronik sowie bei Hochleistungs-Diodenlasern

Verleihung während der 17. DVG-Jahrestagung gemeinsam mit der 20. Arbeitstagung angewandte Oberflächenanalytik AOFA20 am 3. September 2018 in Kaiserslautern

Preisträgervortrag:

Photonik: Schlüsseltechnologie des 21. Jahrhunderts! Nicht ohne Vakuum!

2017

apl. Prof. Armin Dadgar

Universität Magdeburg

In Würdigung seiner bahnbrechenden Arbeiten auf den Gebieten der nitridbasierten elektronischen und photonischen Bauteilen und der Umsetzung in der industriellen Praxis

Verleihung während der 16. DVG-Jahrestagung gemeinsam mit der Vakuum-, Beschichtung und Plasmaoberflächentechnik V2017 am 24. Oktober 2017 in Dresden

Preisträgervortrag:

Galiumnitrid GaN - von der Forschung zur Anwendung

2016

Prof. Dr. Eicke Weber

Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme ISE in Freiburg und Inhaber des Lehrstuhls für Physik / Solarenergie an der Fakultät für Mathematik und Physik und an der Technischen Fakultät der dortigen Albert-Ludwigs-Universität

In Würdigung seiner Verdienste im Bereich der Materialforschung an Defekten in Silicium und III-V-Halbleitern

Verleihung während der 15. DVG-Jahrestagung gemeinsam mit der AOFA19 am 7. September 2016 in SOEST

Preisträgervortrag:

Die Solarenergie als Pfeiler unserer künftigen, nachhaltigen Energieversorgung

 

2015

Prof. Dr. Franz Gießibl

Universität Regensburg

In Würdigung seiner bahnbrechenden Arbeiten und Entwicklungen im Bereich der Rastersondenmikroskopie im Vakuum

Verleihung während der 14. DVG-Jahrestagung gemeinsam mit dem SVST9  in Kolberg, 17.-19. November 2015

Preisträgervortrag:

New frontiers of atomic force microscopy from vacuum to ambient condition

 

2014

Prof. Dr. Wolf-Dieter Schneider

Ecole Polytechnique Fédérale Lausanne EPFL 

In Würdigung seiner Verdienste im Bereich der Oberflächenphysik und -Chemie zu Aufklärung von Transporteigenschaften und elektronischer Strukturen nanoskaliger Systeme mittels Photoemission und Rastersondentechniken.

Verleihung während 13. DVG-Jahrestagung gemeinsam mit SVST8 und AOFA in Kaiserslautern, 30. September - 2. Oktober 2014

Preisträgervortrag:

Spectroscopic manifestations of low-dimensional physics: A small world

 

2013

Dr. Ute Bergner

Vacom GmbH Jena

In Würdigung ihrer wegweisenden wissenschaftlichen Leistungen sowie herausragende Beispiele für den Transfer wissenschaftlicher Ergebnisse in die technologische Praxis

Verleihung während 12. DVG-Jahrestagung gemeinsam mit der SVST in Kolobrzeg, 19. November 2013

Preisträgervortrag:

Innovation into emptiness

 

2012

Prof. Dr. Karl Leo

Direktor des Instituts für angewandte Photophysik IAPP der TU-Dresden und Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme IPMS

In Würdigung seiner langjährigen und zukunftsweisenden Forschungs- und Entwicklungsarbeiten zu organischen Halbleiterschichten, insbesondere zu deren Anwendung für organische Leuchtdioden (OLEDs) und großflächige organische Solarzellen.

Verleihung während 11. DVG-Jahrestagung (gemeinsam mit JVC-14, EVC-12 und Jahrestagung der Kroatischen Vakuumgesellschaft) in Dubrovnik/Kroatienin, 4.–8. Juni 2012

Preisträgervortrag:

Organics: Lousy Semiconductors for Wonderful Applications

 

2011

Dr. Thomas Berghaus

Leiter Forschung und Entwicklung Omicron Nanatechnologie GmbH, Taunusstein

In Würdigung seiner langjährigen und innovativen Forschungsarbeiten bei der Entwicklung moderner Rastersondentechniken.

Verleihung während 10. DVG-Jahrestagung gemeinsam mit SVST6 in Kolobrzeg Polen, 20.–22. September 2011

Preisträgervortrag:

Science, Technology Development, and Commerce, the circle of Mutual Benefit. 

 

2010

Prof. Dr. Matthias Scheffler

Direktor des Theoriedepartments des Fritz Haber-Instituts der Max-Plank-Gesellschaft.

In Würdigung seiner international bedeutenden und breit angelegten theoretischen Arbeiten zu den physikalischen und chemischen Eigenschaften von Oberflächen und Interfaces sowie den dort ablaufenden Prozessen, insbesondere der Katalyse.

Verleihung während 9. DVG-Jahrestagung gemeinsam mit SVST5 und der AOFA in Kaiserslautern 28.–30. September 2010

 

2009

Prof. Dr. Günter Weimann

Direktor des Fraunhofer Instituts für angewandte Festkörper Physik IAF in Freiburg

In Würdigung seiner bahnbrechenden Arbeiten als einer der Pioniere der Molekularstrahlepitaxie MBE sowie der Anwendungen von III-V-Halbleitern

Verleihung während der 8. DVG-Jahrestagung gemeinsam mit dem SVST vom 21.-23 September 2009 in Koszalin/Kolobrzeg  (Polen)

2008

Dr. Reiner Wechsung

früher Leybold Heraeus LH (Köln) und bis vor kurzem Geschäftsführer der Micro-Parts GmbH (Dortmund)

In Würdigung seiner Arbeiten zu den instrumentellen Entwicklungen auf dem Bereich der Oberflächen und Schichtanalytik sowie seiner Verdienste bei Aufbau der MircoParts GmbH zu einem führenden Unternehmen der Mirksosystemtechnik.

Verleihung während der 8. DVG-Jahrestagung gemeinsam mit der 10. European Vacuum Conference EVC10 vom 22.-26 September 2008 in Balatonalmadi/Ungarn

2007

Prof. Dr. Alexander Bradshaw

Wissenschaftlicher Direktor des Max-Planck-Instituts für Plasmaphysik in Garching und Greifswald

In Würdigung seiner Seiner bahnbrechenden Arbeiten auf dem Gebiet der Oberflächenphysik .

Verleihung während der 6. DVG-Jahrestagung gemeinsam mit dem "Symposium on Vacuum Based Science and Technology" vom 5. bis 7. September 2007 in Greifswald

2006

Prof. Hans Lüth

Forschungszentrum Jülich

In Würdigung seiner herausragenden Leistungen auf den von der DVG betreuten Wissenschafts- und Technologiebereichen, insbesondere für seine Arbeiten zu neuartigen nanoskaligen Halbleiterstrukturen.

Verleihung während der 6. DVG-Jahrestagung gemeinsam mit dem "Symposium on Vacuum Based Science and Technology" vom 10. bis 13. Oktober 2006 an der Gesellschaft für Schwerionenforschung (GSI) in Darmstadt